半导体行业动态和肖特基二极管.doc 3页

'半导体行业动态和肖特基二极管　　半导事业部　李忠在国民经济高速发展的今天，信息产业的发展是拉动国民经　　济保持快速发展的重要力量。而电子元器件是电子产品的重　　要组成部分，是决定电子产品水平高低的关键，其技术水平　　直接决定电子产品的质量与性能。因而电子元器件行业是电　　子信息产业的重要组成部分，也必将随着信息产业的整体发　　展而保持稳定而高速的增长。从行业大趋势上来看，全球半导体行业发展趋于平稳。各大　　厂商在规避风险和应对产业周期变化方面显得更加成熟，通　　过科学的库存管理维持行业的相对稳定，因此行业周期性将　　逐渐弱化。而国内的半导体行业由于其起点低、下游产业集　　中等特点，未来几年里增长速度将大大高于全球平均水平，　　且波动幅度小于全球。　　受全球供需关系的影响，国内半导体行业在经历了今年年初　　的低谷后，在今年下半年迎来回暖。预计07年全年国内半导　　体行业增速将达到26%左右，2008～2010年也将保持年均25%　　的复合增长率。行业的复苏将给行业内上市公司带来良好的　　发展环境。　行业内上市公司正积极扩张产能，调整产业结构。产能的扩　　张保证了公司在市场规模扩大的同时维持甚至扩张自己的　　市场份额，也可以充分发挥规模效应降低生产成本及企业运　　营成本。同时各公司通过积极的研发进一步实现产业结构升　　级，产业结构向高端调整提高了公司产品的附加值和综合毛　　利率，从而提升了公司的盈利水平。　与此同时，行业内公司正在或计划通过向上下游的扩张充分　　完善自身产业链。拥有设计、制造、封装一条完整的产业链　　不仅可以降低公司的成本，增强盈利能力，而且可以提升公　　司的行业地位，使公司拥有持续增长的能力。　　 我们需要重点关注的是行业内具有技术优势、规模优势和市　　场优势的企业。我们给予分立器件和集成电路制造、封测产　　业内的华微电子和长电科技“增持”评级，给予硅片制造业　　的有研硅股“增持”评级，给予集成电路、分立器件制造业　　的华微电子“增持”评级，给予封装测试业的长电科技“增　　持”评级。最新公布排行榜上前10位如下∶!F/L-s*L(I!I,v#o4I1.英特尔  美国  减收8.9%!J,b/c/Z5_8t2s69{5X2.三星电子韩国增收4.1%2o-v*E3}8T)a3.TI(德州电气)美国增收15.6%0{$D0Y6L)H;+$G4.英飞凌德国增收26.7%;S6m-Y7a5b"x6e8~5.东芝日本增收17.6%/b;l!C6[.s-z%I5@.W6.ST微电子瑞士增收10.9%1n2g,r#`5v  t7.TSMC台湾增收19.1%$p(e9`+^/l4T8.海力士韩国增收30.3%)B3`(S(^$r$w"Q2j6T9.瑞萨  日本增收3.3%4Vc5|  H  P2X:p0D10.高通美国增收29.5%!O"V(ZN+^#b2v7ZO:J:q/L/W8^从上面可以看到，半导体还是美国最强啊，顺便说一句中国最强的中芯国际，排在25位以后肖特基势垒二极管SBD（SchottkyBarrierDiode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。一、肖特基二极管原理铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构如图(a)所示。它是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加，见图(b)。综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。二、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式，三、肖特基二极管的检测肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。'